出現(xiàn)峰形異常原因及解決方案
實驗時遇到峰形異常的情況很多，造成峰形異常的因素很多，柱外死體積算是比較常見的原因之一，柱外死體積引起峰形異常有個特點(diǎn)，對先出的峰影響大，對后出峰影響??；柱頭塌陷、柱頭和篩板污染等都會引起所有的峰形都異常，硅醇基次級保留則引起部分峰發(fā)生拖尾現(xiàn)象。
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峰形異常常見形式
峰形異常常見形式包括峰后拖、峰前延等
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峰后拖
常見的3種拖尾情況
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引起峰后拖的原因
反相色譜中，通常非極性和弱極性的化合物能獲得良好的峰形，而帶有-COOH、-NH2、-NHR、-NR2等極性基團(tuán)的化合物則比較容易產(chǎn)生拖尾，這些硅膠表面殘留硅羥基對極性和堿性樣品分子產(chǎn)生次級保留效應(yīng)。
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反相填料表面有殘余的硅羥基，也會引起峰后拖
根據(jù)電離規(guī)律，流動相的pH-pKa>2即pH>6.7時，99%以上的硅羥基應(yīng)該是呈離子狀態(tài)的，即Si-O- ，而pKa-pH>2即pH<2.5時，酸性環(huán)境抑制了硅羥基的電離，99%以上的硅羥基應(yīng)該是呈分子狀態(tài)的，即Si-OH，但其極性仍然存在，即Si-Oδ-Hδ+。Si-Oδ-Hδ+和-Si-O-對于極性化合物之間的作用力則是一種極性的靜電作用力，這種作用力比范德華力要強(qiáng)得多。
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硅膠表面由于鍵合了C18長鏈，由于空間位阻作用，樣品分子中能接觸到殘余硅羥基的機(jī)會不多，只有少部分的分子才能與殘余硅羥基產(chǎn)生強(qiáng)的靜電作用而被推遲洗脫出來，產(chǎn)生后拖。拖尾嚴(yán)重的程度與樣品分子極性大小和殘余硅羥基的多少有著直接的關(guān)系。
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相同的樣品在不同品牌的柱子上產(chǎn)生拖尾的嚴(yán)重性不同，從填料合成的角度而言就是鍵合密度是否高、封尾是否徹底，高密鍵合和徹底的封尾能降低峰拖尾的情形，獲得良好的峰形。恒譜生?C18系列液相色譜柱采取的就是高密鍵合和徹底的雙峰尾工藝。
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峰前延
三種峰前延的表現(xiàn)形式
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造成前延峰的原因有多種，大致可分為以下幾種
原因一，樣品過載
如果色譜柱中樣品含量過高，可能產(chǎn)生前延峰，一般認(rèn)為峰高在100mAU左右比較合適，不至于因過載影響峰形。通過降低樣品濃度，其峰形會逐漸正常。
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原因二，檢查溶解樣品使用了流動相
溶解樣品的溶劑洗脫能力比流動相強(qiáng)，就會發(fā)生峰前延。這對這種情況，可以酌情替換流動相填料。
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正常來講，峰形應(yīng)該是樣品在色譜柱上均勻的前移的情況下得到的，濃度分布在整個通過色譜柱柱床的過程中任何時候都呈正態(tài)分布。
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樣品溶液進(jìn)樣后到達(dá)色譜柱時間很短，應(yīng)還未被流動相充分稀釋，洗脫能力更強(qiáng)的樣品溶劑的局部存在，將使部分樣品被洗脫的速度加快，導(dǎo)致峰前延。
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原因三，流動相中緩沖鹽的濃度過低
緩沖鹽濃度過低可能導(dǎo)致色譜柱發(fā)生峰前延，因此很多人員在實驗時會增大流動相中的離子強(qiáng)度。
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原因四，柱溫過低
過低的柱溫會導(dǎo)致前延峰的產(chǎn)生，通過升溫，可以增加流動相傳質(zhì)速率，減少因靜電作用引起的前拖，但溫度不宜太高，溫度太高容易損傷色譜柱，特別是含有離子對試劑的時候，最好不要超過40℃。
如何延長色譜柱使用壽命
色譜柱如果得到正確使用、維護(hù)和保養(yǎng)，壽命會很長。在使用保護(hù)柱的情況下，有壽命超過1萬針的實例。如果不用保護(hù)柱，即便得到很好保養(yǎng)維護(hù)，一般能用到2000針左右就不錯了。
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色譜柱是高檔儀器中的高檔部件，表面看，一支只有和筷子一樣大小的色譜柱，2000-5000元價格算比較昂貴了，但色譜柱的使用成本占整個分析成本的比例卻很低。因為色譜柱是耗材中可重復(fù)試用次數(shù)算多的，按平均用2000次計算，單次使用成本僅有1-2元人民幣，與制樣和試劑成本相比，幾乎可忽略不計。
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為了確保色譜柱的使用壽命，有條件的實驗室，建議每支色譜柱固定做一種分析方法。盡管這樣需要準(zhǔn)備的色譜柱數(shù)量會多一些，但從長時間維度看。這種方法可以有效減少色譜柱來回切換產(chǎn)生的問題，降低損耗，總體成本也會更低。
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發(fā)布于: 2024-07-13